полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в запрещенной зоне на расстоянии от ее границ, большем кТ.
В таком случае дырки в дырочном полупроводнике и электроны в электронном полупроводнике станут двигаться...
зону дырочного полупроводника и там аннигилируется с дыркой....
В этом случае, электроны в электронном полупроводнике и дырки в дырочном полупроводнике движутся в противоположные...
Пример 1
Задание: Покажите, что если считать электронный газ в проводнике невырожденным, то коэффициент...
Если электронный газ в проводниках является невырожденным, то ускоряются полем все электроны.
Развит новый подход к изучению кинетических эффектов в ковалентных полупроводниках. На примере расчета кинетических коэффициентов при резонансном рассеянии демонстрируются некоторые особенности предлагаемого подхода. Изучается влияние предельно слабого магнитного поля на кинетические эффекты. В отличие от стандартного метода, учитывающего наличие -поля в неравновесной функции распределения с последующим получением искомых формул для кинетических коэффициентов, в предлагаемом подходе наличие (влияние) слабого -поля фиксируется в качестве локального «прироста» сечения конкретного рассеяния, в данном случае резонансного. Формальная замена позволяет сравнительно легко проанализировать влияние поля на кинетические эффекты. Показано, что при наличии -поля электронная проводимость достигает максимума. В процессе расчета выявляется общность результатов при любом механизме рассеяния. Главное требование сводится к тому, чтобы низкотемпературная асимптотика конкретного механизма рассеяния была...
Из этого получается, что уже при комнатной температуре в полупроводниках электронный газ будет невырожденным
Анализируются экспериментальные данные зависимости фотопотенциала германия и соединений A IIIB V галлия и индия от свойств полупроводника (тип и концентрация легирующей примеси, ширина запрещенной зоны), состава электролита (рН, концентрация окислителей и восстановителей), вида освещения. Показано, что в темноте эмпирические значения электродных потенциалов полупроводников близки к термодинамическим, рассчитанным по энергиям Гиббса для реакций с участием оксидов низших степеней окисления: GeO, Ca 2O, In(OH) 2 и В(0); для них значение стандартных потенциалов максимально. При освещении потенциалы невырожденных полупроводников n-типа приближаются к теоретически рассчитанным значениям для реакций с участием их оксидов в более высокой степени окисления: GeO 2, Ga 2O 3, In 2O 3 и В 2О 3. Для них стандартный потенциал заметно меньше.
процесс, происходящий при нагреве деформированного металла до температуры 0,3Тпл, при котором уменьшается плотность дефектов и происходит их перераспределение внутри зёрен, что приводит к некоторому снижению внутренней энергии и небольшому (на 10–15 %) уменьшению твёрдости и прочности.
трещины, возникшие в процессе чрезмерно быстрого охлаждения при закалке.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
