Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
ФПУ, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
камера, содержащая в качестве радиатора газ гелий-3.
объект, вносящий фазовую модуляцию в волновой фронт.