Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
фотоприемное устройство, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используется охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения.
Приведены результаты экспериментальных исследований паразитного фонового инфракрасного излучения в криостатах матричных фотоприемников с помощью тепловизионных приборов.
Приведен сравнительный анализ некоторых современных отечественных вариообъективов и зарубежного аналога для применения в тепловизионных каналах.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
необратимая тонкослойная регистрирующая среда, содержащая светочувствительные наночастицы галогенидов серебра в желатиновой матрице.
счетчик нейтронов, содержащий в качестве радиатора делящиеся вещества.