Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
ФПУ, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
камера, содержащая в качестве радиатора газ гелий-3.
рефрактометр, применяемый при геодезических измерениях.