Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
фотоприемное устройство, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.
изолятор, образующий проход для проводника через неизолированную перегородку.