Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
фотоприемное устройство, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
ветвь графа, не принадлежащая дереву графа.