Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
регулярное расположение микролинз microlens array на/в одной подложке.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
геодезический прибор для определения длин линий без непосредственного откладывания мер длины вдоль измеряемых линий.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».