Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
магнитомеханоэлектрический преобразователь, находящийся при одновременном действии измеряемой магнитной индукции и крутящего момента.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
необратимая тонкослойная регистрирующая среда, содержащая светочувствительные наночастицы галогенидов серебра в желатиновой матрице.
фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения.