Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
неоднозначная зависимость магнитострнкционного изменения размеров образца из магнитного материала от напряженности внешнего магнитного поля при его кв а экстатическом изменении.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
энергия, переносимая излучением импульсной лампы.