Кристаллографическое направление

Упругая и пластическая деформация

деформации тела, пропорциональна его удлинению и направлена в противоположную сторону относительно направления...
Чтобы рассчитать движение тела из-за действия силы упругости, необходимо учесть направление этой силы...
Данные плоскости являются кристаллографическими, где наибольшее количество атомов....
другие металлы с гранецентрированной кубической решеткой обладают четырьмя плоскостями сдвига с тремя направлениями...
Самый легкий сдвиг по определенным плоскостям и направлениям объясняется тем, что при данном перемещении

Статья от экспертов

Зависимость электрической прочности кристаллогидратов от времени воздействия напряжения и кристаллографического направления

Символы узлов

Кристаллографическое индицирование Определение 1 Кристаллографическое индицирование – это специальная...
символика, используемая для аналитического описания геометрических составляющих кристалла: направлений...
Замечание 1 Кристаллографическое индицирование одинаково почти для всех кристаллографических систем

Статья от экспертов

Исследование влияния кристаллографического направления синтетического монокристалла алмаза на коэффициент вторичной электронной эмиссии

В данной работе исследовалась зависимость коэффициента вторичной электронной эмиссии от выбранного кристаллографического направления для синтетического монокристалла алмаза IIb типа, выращенного методом температурного градиента. Данный тип алмаза был выбран из-за широкого применения в алмазной микроэлектронике и полупроводниковых свойств. Проведены количественные измерения коэффициентов вторичной электронной эмиссии (ВЭЭ) при энергиях первичного пучка 7 кэВ и выше для различных кристаллографических направлений: самые высокие показатели коэффициента вторичной электронной эмиссии зафиксированы для направления (100), а также в межростовой области, что подтверждается картиной распределения интенсивности свечения различных секторов кристалла, полученной с помощью детектора истинно-вторичных электронов растрового электронного микроскопа. Кристаллографические направления (111) показали коэффициент вторичной электронной эмиссии в 4-5 раз ниже по сравнению с (100) и межростовой областью. Коэ...