индексы в кристаллографии, с помощью которых обозначаются плоскости, направления и узлы в кристаллической решётке.
Индицирование
Определение 2
Индицирование – это присвоение каждой грани числового кристаллографического...
Для того, чтобы добиться симметрии при написании индексов для плоскостей расположенных симметрично, вводится...
Чтобы обозначить символами грани в гексагональных кристаллах используется индекс Браве - hkil....
Индекс i не является независимым, потому что i =
–(h + k)....
Данным индексом во многих случаях пренебрегают и ставят на третье место в символе плоскости точку (hk.l
Разработан быстродействующий алгоритм генерации взаимно-простых кристаллографических индексов направлений-векторов из ограниченной области решетки, и на его основе новый метод расчета сингулярных направлений из независимых, сферически ограниченных областей решеток различных сингоний
Кристаллографическое индицирование
Определение 1
Кристаллографическое индицирование – это специальная...
Замечание 1
Кристаллографическое индицирование одинаково почти для всех кристаллографических систем...
Запятая может быть поставлена только в том случае, если индекс состоит из двух знаков....
Индексы узловых рядов и сеток....
На вышепредставленном рисунке изображены сетки с индексами (100), (110) и (320).
Описана методика экспрессного кристалломорфологического анализа на базе цилиндрического гониометра. Для гониометра рассчитаны градусная сетка и палетка, позволяющие вычислять индексы граней, а также кристаллографические зоны. На примере округлого алмаза уральского типа и плоскогранного кальцита показаны быстрые методы расчета кристаллографических параметров криволинейных и плоскогранных форм кристаллов.
отношение относительного изменения начальной магнитной проницаемости к логарифму отношения интервалов времени, через которые измерялась начальная магнитная проницаемость при определенных климатических условиях.
интервал времени от нанесения клея до соединения склеиваемых поверхностей в условиях окружающей среды; время открытой выдержки необходимо для удаления растворителя из полимерного клеевого слоя, заполнения клеем неровностей и пор, вытеснения из них воздуха и образования на склеиваемой поверхности слоя клея равномерной толщины.
охлаждение после нагрева производится в расплаве щелочей при температуре немного выше температуры начала образования мартенсита, но до начала распада аустенита, а затем в воде или на воздухе.
