Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
отношение комплекса магнитной индукции к комплексу механических напряжений при неизменном внешнем магнитном поле.
Представлены результаты оптимизации топологии магнитной компоненты трехслойной магнитоэлектрической (МЭ) композиционной структуры с целью повышения чувствительности к магнитному полю активных МЭ приборов на основе магнитострикционных-пьезополупроводниковых структур. В качестве магнитных слоев использовался аморфный ферромагнетик - метглас АМАГ 225 в виде пластины размером 28×8 мм, двух полос размером 28×4 мм, четырех полос размером 28×2 мм и восьми полос размером 28×1 мм. Исследование МЭ эффекта проводилось в частотном диапазоне от 1 до 150 кГц и внешнем постоянном магнитном поле H 0 величиной от 0 до 50 Э. C увеличением числа полос до восьми и уменьшением ширины каждой из них до 1 мм наблюдалось увеличение величины МЭ коэффициента по напряжению α E более чем в 2 раза по сравнению со значением, полученным для исходной пластины размером 28×8 мм.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
ток, стекающий в землю через место замыкания.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве