Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
элемент реализованной модели дифракционной структуры, представляющий элементарную дифракционную решетку с заданными направлением ориентацией и величиной периода штрихов; голопиксель используют при реализации модели дифракционной структуры методом дот-матрикс.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
теодолит с гирокомпасом.
область проводимости между двумя электродами газоразрядного прибора.