Бумажный конденсатор
конденсатор с диэлектриком из бумаги.
Эпитаксиальный переход
Предмет
Электроника, электротехника, радиотехника
👍 Проверено
Автор24
электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием (эпитаксиальное наращивание - создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки).
Научные статьи на тему «Эпитаксиальный переход»
Алфёров Ж. И., учёный-физик
Алферова стали гетерогенные переходы в полупроводниках. Идея гетеропереходов существовала давно....
При таком переходе контактируют два разных по химическому составу полупроводника, обладающих разной шириной...
в котором размеры элементарных ячеек кристаллических решеток разных полупроводников, участвующих в переходе...
В этой связи в эпитаксиальных монокристаллических гетеропереходах в такой системе материалов можно ожидать...
Солнечные преобразователи были получены при выращивании эпитаксиальных слоев твердых растворов AlAs-GaAs
Статья от экспертов
Самопроизвольная намагниченность и инверсные магнитные переходы в пленках железоиттриевого граната при температурах выше тN
В эпитаксиальных пленках железоиттриевого граната, полученных из слабодиссоциированного раствора-расплава, обнаружена слабая спонтанная намагниченность в диапазоне температур, существенно превышающем температуру Нееля ( ТN ). В температурных интервалах 720°К-750°К и 1100°К-1130°К обнаружены магнитные переходы, имеющие инверсный характер. Спонтанная намагниченность и инверсные магнитные переходы возникают в результате специфики кристаллизации пленок.
Creative Commons
Научный журнал
Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды
Электронно-дырочный переход: методы формирования и применение
Определение 1
Электронно-дырочный...
переход — это область, в которой соприкасаются два полупроводника с разными типами проводимости: дырочной...
,
эпитаксиальное наращивание....
Суть эпитаксиального наращивания заключается в разложении химических соединений с примесью легирующих...
Полупроводниковые диоды классифицируются по:
Размеру перехода.
Статья от экспертов
Получение слоёв GexSi1-x на кремнии методом вакуумных микроразмерных ростовых ячеек
Показано, что переход на дискретные источники позволяет применять метод вакуумных микроразмерных ростовых ячеек для получения слоев вещества, находящегося при температуре испарения в жидком состоянии. Осуществлена оптимизация геометрических параметров плоской сетки локальных источников германия, обеспечивающей формирование однородных эпитаксиальных слоев соединения GexSi1-x.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»
Гипервысокие частоты
радиочастоты 300-3000 ггц.
Молекулярный лазер
газовый лазер, в котором лазерные переходы происходят между уровнями энергии молекул.
- Эпитаксиальная дислокация
- Эпитаксия, эпитаксиальная кристаллизация
- Эпитаксиальная ферритовая пленка
- Аллостерический переход
- Демографический переход
- Вязкохрупкий переход
- Переход фазовый
- Область перехода
- Зона перехода
- Обряды перехода
- Безусловный переход
- Фазовые переходы
- Выпрямляющий переход
- Выращенный переход
- Гетерогенный переход
- Гомогенный переход
- Диффузионный переход
- Индуцированный переход
- Квантовый переход
- Коллекторный переход
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
