Водопоглощение диэлектрика
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
дислокация, которая возникает в кристалле при его росте на подложке в результате несоответствия кристаллических решеток кристалла и подложки.
Рассматривается возможность применения концепции дипольного упрочнения эпитаксиальных феррошпинелей при внешних воздействиях, а также при релаксации гетероэпитаксиальных и термических напряжений в процессе синтеза и охлаждения. Проведено сопоставление теории и эксперимента для движения дислокаций в электрическом поле и поле внешних деформаций. Показано, что энергия активации движения дислокаций U~0,5эв, удовлетворительно совпадает с энергией связи дислокаций с примесями, а экспериментально найденная линейная плотность заряда на дислокациях ~10Кл мс - расчетной по теории Эшелби.
Рассматривается теория влияния флуктуаций состава твердого раствора на кинетику движения дислокаций несоответствия в эпитаксиальных слоях (SiC)1-x(AlN)x. Установлено, что из-за влияния флуктуаций состава твердого раствора происходит изменение закономерностей движения дислокаций по сравнению с однородным полупроводниковым материалом.
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
порошковый материал, изготовленный из порошкового волокна.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве