Закалочные трещины
трещины, возникшие в процессе чрезмерно быстрого охлаждения при закалке.
дислокация, которая возникает в кристалле при его росте на подложке в результате несоответствия кристаллических решеток кристалла и подложки.
Рассматривается возможность применения концепции дипольного упрочнения эпитаксиальных феррошпинелей при внешних воздействиях, а также при релаксации гетероэпитаксиальных и термических напряжений в процессе синтеза и охлаждения. Проведено сопоставление теории и эксперимента для движения дислокаций в электрическом поле и поле внешних деформаций. Показано, что энергия активации движения дислокаций U~0,5эв, удовлетворительно совпадает с энергией связи дислокаций с примесями, а экспериментально найденная линейная плотность заряда на дислокациях ~10Кл мс - расчетной по теории Эшелби.
Рассматривается теория влияния флуктуаций состава твердого раствора на кинетику движения дислокаций несоответствия в эпитаксиальных слоях (SiC)1-x(AlN)x. Установлено, что из-за влияния флуктуаций состава твердого раствора происходит изменение закономерностей движения дислокаций по сравнению с однородным полупроводниковым материалом.
трещины, возникшие в процессе чрезмерно быстрого охлаждения при закалке.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.