Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
дифракционный оптический элемент, формирующий не менее трех дифракционных порядков, при этом усредненный период дифракционной микроструктуры этого оптического элемента много больше толщины рабочего слоя; для двумерного дифракционного оптического элемента с синусоидальным профилем показателя преломления это значение выражается как Q<1.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
внутренний элемент газоразрядного прибора для поддержания необходимого давления газа.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне