Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
материальный носитель дифракционной микроструктуры; микроструктура может быть выполнена (размещена) на поверхности подложки или в ее объеме.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
внутренний элемент газоразрядного прибора для поддержания необходимого давления газа.
счетчик нейтронов, содержащий в качестве радиатора делящиеся вещества.