Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
дифракционный оптический элемент, формирующий преимущественно один дифракционный порядок (с выполнением условия Брэгга), при этом усредненный период дифракционной микроструктуры этого оптического элемента много меньше толщины рабочего слоя; для трехмерного дифракционного оптического элемента с синусоидальным профилем показателя преломления это значение выражается как Q>>1.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
время, прошедшее с момента измерения измеряемой величины или начала принудительного цикла измерения до момента получения нового результата измерения на отсчетном устройстве с нормированной погрешностью.
интервал времени между моментом поступления импульса излучения на фотокатод и моментом появления сигнала в цепи анода фотоумножителя.