Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
дислокация, вектор Бюргера которой не является вектором тождественной трансляции; представляет собой границу дефекта упаковки.
медицинской части, дежурным или старшим врачом;
доверенности военнослужащих, находящихся в пунктах дислокации...
предоставление его в суд, предъявление встречного иска, передача спора на рассмотрение третейского суда, частичный...
судопроизводстве – право подписания иска или отзыва иска, передача спора на рассмотрение третейского суда, частичный...
заявления, заявление о применении мер защиты по административному иску, заключение соглашения о примирении, частичный
Проведено компьютерное моделирование зарождения дислокации у поверхности никеля, содержащей моноатомную ступень. Потенциалы межатомного взаимодействия никеля задавались в рамках метода погруженного атома. Особое внимание уделено исключению влияния искусственных граничных условий на процесс образования дислокации. Установлено, что у поверхности никеля в результате приложения одноосного нагружения образуется частичная дислокация Шокли в плоскости скольжения (111). Показано, что в основе механизма образования дислокации у поверхности лежит локализация сдвига вблизи моноатомной ступени при упругой деформации, предшествующая образованию дислокации.
При этом их существование нарушает иерархичность, которая присуща системе таможенных органов, а также частично...
представители, владельцы склада временного хранения, таможенные склады и пр.), вынужденные изменять дислокацию
Разработана модель системы «клиновидный нанодвойник – полная дислокация». На основании данной модели проведен расчет полей смещений и деформаций. Показано, что цепочка полных дислокаций вносит более существенный вклад в деформированное состояние твердого тела, чем нанодвойник. Это обусловлено тем, что мощность вектора Бюргерса дислокаций цепочки больше мощности вектора Бюргерса частичной двойни-кующей дислокации. Модель позволяет вести расчет деформированного состояния при различном расположении цепочки дислокаций по отношению к клиновидному нанод-войнику, что дает возможность моделирования часто встречающихся на эксперименте ситуаций генерации полных дислокаций на границе клиновидного двойника или у его вершины.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве