Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
дислокация, на линии которой отсутствуют примесныe атомы (частицы) в количествах, делающих дислокацию видимой при изучении фольг на просвет, выходe еe на поверхность шлифа (фигурки травления) и т.д..
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
полимер стирола.