Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
перемещение краевой дислокации из одной плоскости скольжения в другую, ей параллельную, за счет диффузии к линии дислокации междоузельных атомов или вакансий; перемещение происходит путем смещения края экстра-плоскости в результате присоединения к ней или отрыва от нее диффундирующего атома.
Процесс диффузии способствует перемещению дислокаций посредством их переползания, а результатом этого...
Чтобы увеличить жаропрочность необходимо ограничивать подвижность дислокаций и замедлять диффузионные
A mathematical model of deformation-induced destruction of long-range order associated with edge dislocations climb is proposed. The change of long-range order due to edge dislocations climb is calculated.
В терминах клеточных автоматов построена модель самоорганизации краевых сегментов дислокаций противоположных знаков. Взаимодействие дислокаций осуществлялось их упругими полями нелокальным способом, учтены размножение и аннигиляция дислокаций. Модель описывает формирование периодических поляризованных стеночных структур, развивающихся при циклическом и монотонном нагружении. Реализованный в модели механизм образования дислокационных структур основан на действии источников Франка-Рида, активном переползании дислокаций и учете дальнодействующих напряжений. Показано, что в моделях самоорганизации дислокаций с периодическими граничными условиями осредненные по полю компоненты тензора собственных напряжений структуры нулевые. Исследована динамика модели.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
полимеризация, при которой мономер (газ, жидкость или твердое вещество) находится в однородной фазе без растворителя или дисперсионной среды.
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.