Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
изделие из стекла, являющееся сырьевым материалом (полуфабрикатом) для изготовления других видов (типов) изделий из стекла.
Корректность алгоритма должна быть абсолютной, то есть он выдаёт только правильное разрешение исходной...
Время выполнения алгоритма должно быть минимизировано, что даёт более эффективное разрешение исходной...
Более достоверным примером является надпись на автобусном стекле: «При аварии, выдерните шнур и выдавите...
стекло»....
Базовой графической формой записи алгоритма является блок-схема.
Представлены результаты разработки технологии получения микроструктурированных волоконных световодов. В ходе проводимых работ были созданы световоды с одним или двумя циклами отверстий, получаемые по двухстадийной технологии. Использование двух циклов позволяют снизить на длине волны накачки затухание до 0,1 дБ/м. В ходе экспериментов было установлено, что эффективность вытекания коррелирует с толщиной депрессированной оболочки чем больше толщина оболочки, тем потери меньше. В ходе работ была разработана базовая технология получения дырчатых волоконных световодов из кварцевого стекла с четырьмя циклами отверстий, базирующаяся на двухстадийном процессе. В отличие от дырчатых световодов с одноэлементной сердцевиной, в разработанных системах при равных диаметрах сердцевины шаг структур меньше в два и три раза. Это позволило получить большую устойчивость излучения к возмущениям световодного тракта. При постановке задачи получения микроструктурированного волокна с малым значением отношен...
материалов относятся:
сплавы металлов и металлы;
керамика;
полимеры и пластмассы;
композиционные материалы;
стекло...
Автор24 — интернет-биржа студенческих работ
Базовые понятия технологии конструкционных материалов
Курс...
состоит из следующих базовых разделов:
основы металлургического производства, включает анализ исходных
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве