Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
обратимая безусадочная регистрирующая среда, в которой запись дифракционной структуры осуществляется за счет фотоиндуцированной переориентации жидкокристаллических включений размерами в нанодиапазоне, введенных в полимерную матрицу.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
геодезический прибор для определения длин линий без непосредственного откладывания мер длины вдоль измеряемых линий.
рефрактометр, применяемый при геодезических измерениях.