Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
обратимая безусадочная регистрирующая среда, в которой запись дифракционной структуры осуществляется за счет внутреннего фотоэлектрического эффекта при взаимодействии с оптическим излучением.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
камера, содержащая в качестве радиатора газ гелий-3.
математическое ожидание длины серии выборок.