Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
обратимая толстослойная безусадочная регистрирующая среда, в которой зались дифракционной структуры осуществляется за счет фотоиндуцированных трансформаций фотохромных соединений, введенных в полимерную матрицу.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
геодезический дальномер, основанный на решении треугольника.
прибор для измерения освещенности.