Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
зависимость изменения оптических характеристик регистрирующей среды от логарифма экспозиции.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
лампа, тело накала которой находится в колбе, наполненной смесью инертных газов, галогенов и их соединений.
рефрактометр, применяемый при геодезических измерениях.