Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
зависимость изменения оптических характеристик регистрирующей среды от логарифма экспозиции.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
внутренний элемент газоразрядного прибора для поддержания необходимого давления газа.
теодолит с гирокомпасом.