область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в полупроводнике.
Этот спектр делится на зоны, которые разделены запрещенными промежутками....
промежуток называется зоной запрещенных энергий....
Эти зоны отделены полосами запрещенных энергий....
У диэлектриков ширина запрещенной зоны равна нескольким электрон вольтам....
У кристаллических полупроводников ширина запрещенной зоны между полностью заполненной валентной зоной
Рассматриваются различные механизмы, вызывающие сужение запрещенной зоны в сильно нагретом кремнии. В области высоких температур становится необходимым использование квантовой статистики ФермиДирака для описания носителей, поскольку химический потенциал кремния оказывается в валентной зоне и зоне проводимости при высоких концентрациях носителей. Показано, что в условиях достаточно сильного нагрева собственного полупроводника вырождение носителей вызывает сильное сужение ширины запрещенной зоны. Полученные значения сужения ширины запрещенной зоны сравниваются с экспериментальными результатами.
Собственная проводимость полупроводников
В полупроводниках основная зона разделена с зоной возбужденных...
Вообще говоря, диэлектрики и полупроводники отличаются с точки зрения зонной теории, только шириной запрещенной...
энергетические уровни, которые находятся в запрещенной зоне полупроводника....
Донорные примеси
Пусть дополнительные уровни в запрещенной зоне появились около нижнего края зоны проводимости...
, мал в сравнении с шириной запрещенной зоны, то число электронов в зоне проводимости, следовательно,
Исследована планарная гетероструктура, составленная из двух пленок графена, между которыми вставлена полоска узкощелевого полупроводника. Показано, что в случае, когда конусные точки зоны Бриллюэна графена расположены по энергии в запрещенной зоне узкощелевого полупроводника, парадокс Клейна отсутствует. Существует зависящая от угла падения область энергий, в которой возможно надбаръерное затухающее решение, тем самым такая гетероструктура является "фильтром", пропускающим частицы в определенной области углов падения на потенциальный барьер. Обсуждается возможность применения такой гетер о структуры в качестве "ключа".
процесс, происходящий при нагреве деформированного металла до температуры 0,3Тпл, при котором уменьшается плотность дефектов и происходит их перераспределение внутри зёрен, что приводит к некоторому снижению внутренней энергии и небольшому (на 10–15 %) уменьшению твёрдости и прочности.
коррозионный элемент, имеющий более двух электродов.
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
