Дифракционный контраст
контраст на изображении, возникающий вследствие дифракции излучения.
интервал энергий, запрещенных для электронов в кристаллической решетке (применяется в зонной теории электронов в твердых телах).
Этот спектр делится на зоны, которые разделены запрещенными промежутками....
промежуток называется зоной запрещенных энергий....
Эти зоны отделены полосами запрещенных энергий....
У диэлектриков ширина запрещенной зоны равна нескольким электрон вольтам....
У кристаллических полупроводников ширина запрещенной зоны между полностью заполненной валентной зоной
Исследуются параметры фотонных запрещенных зон фотонных кристаллов на основе материалов AlGaAs и GaAs. Фотонные кристаллы получены группированием отверстий в названных материалах (либо же стержней из этих же материалов в воздухе) с постоянной величиной решетки и размерами отверстий (стержней). Изучается дисперсия показателя преломления в GaAs в телекоммуникационном диапазоне длин волн. Предлагается метод расчета фотонных запрещенных зон фотонных кристаллов. Описываются геометрические области существования фотонных запрещенных зон, а также анализируется влияние геометрических параметров на параметры фотонной запрещенной зоны – ее ширину и центральную величину.
определено двумя причинами:
Характером расположения энергетических зон, вернее шириной запрещенной...
зоны....
разрешенной зоной узкой запрещенной зоной, то такое вещество является диэлектриком только при температурах...
Это требует затраты энергии, которая не меньше, чем ширина запрещенной зоны ($\triangle E_0$)....
(В данном случае между полупроводниками и диэлектриками разница только в ширине запрещенной зоны.)
Исследованы гетероструктуры на основе широкозонных материалов. Обнаружены необычные вольт-амперные характеристики для одиночных и двойных наногетероструктур.
контраст на изображении, возникающий вследствие дифракции излучения.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.