Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
Ширина запрещенной зоны полупроводника
Предмет
Материаловедение
Разместил
🤓 siepruchiril1979
👍 Проверено Автор24
разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника.
Научные статьи на тему «Ширина запрещенной зоны полупроводника»
Зонная теория твердых тел, энергетические уровни и формирование энергетических зон
Эти зоны отделены полосами запрещенных энергий....
Решение:
Электрические свойства тел связаны с шириной запрещенной энергетической зоны и различиями...
Металлы, диэлектрики и полупроводники различаются степенью заполнения валентной зоны электронами и шириной...
У диэлектриков ширина запрещенной зоны равна нескольким электрон вольтам....
У кристаллических полупроводников ширина запрещенной зоны между полностью заполненной валентной зоной
Статья от экспертов
Влияние вырожденных носителей на сужение ширины запрещенной зоны Si
Рассматриваются различные механизмы, вызывающие сужение запрещенной зоны в сильно нагретом кремнии. В области высоких температур становится необходимым использование квантовой статистики ФермиДирака для описания носителей, поскольку химический потенциал кремния оказывается в валентной зоне и зоне проводимости при высоких концентрациях носителей. Показано, что в условиях достаточно сильного нагрева собственного полупроводника вырождение носителей вызывает сильное сужение ширины запрещенной зоны. Полученные значения сужения ширины запрещенной зоны сравниваются с экспериментальными результатами.
Creative Commons
Научный журнал
Особенности зонной структуры диэлектриков, полупроводников и металлов
определено двумя причинами:
Характером расположения энергетических зон, вернее шириной запрещенной...
разрешенной зоной узкой запрещенной зоной, то такое вещество является диэлектриком только при температурах...
Это требует затраты энергии, которая не меньше, чем ширина запрещенной зоны ($\triangle E_0$)....
(В данном случае между полупроводниками и диэлектриками разница только в ширине запрещенной зоны.)...
свободную зону, соответственно, уменьшается сопротивление полупроводника.
Статья от экспертов
Модификация ширины запрещенной зоны MoS2 при замещении атомов серы атомами теллура
Установлено, что ширина запрещенной зоны слоя MoS2 (дисульфида молибдена) мономолекулярной толщины при встраивании атомов серы на место атомов теллура уменьшается с 1,84 эВ и достигает 1,17 эВ в случае MoTe2. Как MoTe2, так и MoS2 в объемном состоянии являются непрямозонными полупроводниками, в то время как их монослои, а также соединения MoS2-x Te x при x < 0,5 либо x > 1,5 становятся прямозонными. В случае, когда концентрация атомов теллура меньше концентрации атомов серы, ширина запрещенной зоны тройного соединения линейно уменьшается с повышением концентрации атомов теллура.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Индексы Лауэ
индексы отражающей плоскости n -порядка.
Расширение тепловое
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.
- Запрещенная зона полупроводника
- Запрещенная зона
- Запрещенная энергетическая зона
- Фотонные запрещенные зоны
- Валентная зона полупроводника
- Заполненная зона полупроводника
- Зона проводимости полупроводника
- Примесная зона полупроводника
- Разрешенная зона полупроводника
- Свободная зона полупроводника
- Энергетическая зона полупроводника
- Ширина энергетической зоны
- Полупроводники
- Полупроводник
- Ширина
- Запрещенные средства войны
- Акцепторный полупроводник
- Вырожденный полупроводник
- Донорный полупроводник
- Дырочный полупроводник
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
