Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
процесс образования ямок на поверхности трения в результате отделения частиц материала при усталостном изнашивании.
Не должно быть деформации, выкрашивания зубцов, поломки.
Поднят вопрос о значимости технологий гетерогенного упрочнения в промышленности. Описаны выполненные исследования новой технологии получения гетерогенной структуры с помощью метода поверхностного пластического деформирования статико-импульсной обработки. Установлены взаимосвязь между параметрами гетерогенности и величиной сопротивления контактному выкрашиванию для сталей 45, 40Х, 35ХГСА.
температуры и требует значительных усилий резания. что в свою очередь способствует увеличению вероятности выкрашивания
Для определения наличия избирательного выкрашивания в бороздовых пробах проведено экспериментальное опробование на золоторудном месторождении. Минералогический анализ не выявил тенденции в изменении количества основного золотосодержащего минерала пирита в мелких фракциях бороздовых проб.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.
полимер винилацетата.