Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
среднее время между двумя последовательными актами рассеяния носителя заряда.
Определим среднее количество столкновений молекулы газа с другими молекулами на время t=1с....
Из выражения (4) видно, что средняя длина свободного пробега молекулы не зависит о температуры....
Длина свободного пробега молекулы весьма важная физическая величина в МКТ....
Пример 1
Задание: При атмосферном давлении и температуре $t=0^oС$ длина свободного пробега молекулы...
Решение:
Диаметр молекулы можно оценить, зная длину свободного пробега молекулы, так как:
\[\lambda
В рамках модели твердых шаров вычислена корреляционная функция тепловой скорости молекулы газообразной среды. Показано, что время корреляции скорости вдвое превышает среднее время свободного пробега молекулы. На основе данных по нестационарному когерент ному антистоксову рассеянию света проведена оценка размера молекулы водорода.
:
\[u_m=\frac{q_eE}{m_e}\tau \left(3\right),\]
где $\tau $ -- среднее время, которое проходит между...
пробега....
lambda }{v}\left(9\right).\]
В том случае, если бы столкновения электронов с ионами не было, то длина свободного...
классической теории проводимости можно сделать вывод о том, что сопротивление металлов вызвано столкновениями свободных...
Закон Джоуля -- Ленца
К окончанию свободного пробега электрон имеет дополнительную кинетическую энергию
Проанализировано влияние столкновений электронов с атомами решетки в металле на поляризацию металлической частицы в переменном электрическом поле. Показано, что в отличие от бесстолкновительного (свободного) электронного газа, в релаксационных металлических частицах увеличение отрицательной электронной диэлектрической проницаемости с уменьшением частоты электрического поля ограничивается временем релаксации проводимости. Показано, что в релаксационном металле плазменная частота возникает только если время диэлектрической релаксации меньше времени свободного пробега в металле.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
полимер, полученный из двух или более видов мономера.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве