Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
травление металлографического шлифа при заданной температуре путем воздействия вакуума.
Некоторые приемы известны давно, например, травление и литография....
В работах 19 века уже использовалась технология электрохимического осаждения и вакуумной техники....
В процессе изготовления микроустройства происходит чередование операций травления и нанесения тонких
Рассмотрены процессы ионного травления и модифицирования поверхности ответственных деталей машин в плазме вакуумно-дугового разряда. Рассмотрено влияние напряжения смещения на процессы, протекающие на поверхности подложки при взаимодействии с ускоренным потоком металлических ионов. Исследован процесс ионного травления жаропрочных сплавов (ЖС) на основе никеля в многокомпонентной плазме вакуумно-дугового разряда в промышленной установке МАП-1М, а также новый процесс модифицирования поверхности сталей, титановых сплавов и жаропрочных сплавов. Исследована стойкость к солевой коррозии образцов после модифицирования в вакуумно-дуговой плазме чистых металлов Ti, Zr, Al, Cr и сплава Zr-Y. Показано, что процесс модифицирования (термостимулированного ионного насыщения) поверхности изделий из конструкционных материалов позволяет изменять структурно-фазовое состояние поверхности, а, соответственно, и свойства материалов, связанные с состоянием их поверхности.
Самыми распространенными видами электрохимической обработки являются гальваностегия, полирование, травление...
посредством экструзии, литья под давлением, виброформования, прессования, отливки, вспенивания или вакуумной
Представлены результаты исследования влияния параметров фокусированного ионного пучка на технологические операции локального ионно-лучевого травления и ионно-стимулированного осаждения материалов из газовой фазы для формирования элементов вакуумной автоэмиссионной наноэлектроники. Разработана конструкция вакуумной автоэмиссионной ячейки, состоящая из системы катод-анод, форма которых обеспечивает, с одной стороны, высокую надежность и эффективность работы, а с другой стороны, позволяет применять технологии ионно-лучевого травления и ионно-стимулированного осаждения для формирования герметичных ячеек в едином вакуумном технологическом цикле. Применение элементов вакуумной электроники перспективно с точки зрения достижения высокой радиационной стойкости и высокого быстродействия элементов. Создание наноразмерных структур катода и анода, а также обеспечение сверхмалого межэлектродного расстояния позволяет добиться существенного снижения энергопотребления устройств и повысить плотность ...
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве