Анодное травление

Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды

Затем осуществляется травление пленки диоксида кремния и в получившееся окно производят диффузию примеси...
анода, определяют основные параметры катодного электрического тока, то есть он полностью зависит от анодного...
Электроны, попавшие на анод, являются составляющими анодного тока, показатели которого в полупроводниковых

Статья от экспертов

О МЕХАНИЗМАХ ФОРМИРОВАНИЯ ПОРИСТОГО СЛОЯ ПРИ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ КРЕМНИЯ п-ТИПА

Формирование наноразмерных структур арсенида галлия локальным анодным окислением и плазмохимическим травлением

Основной целью работы являлось исследование режимов обработки и профилирования структур на основе арсенида галлия комбинацией методов локального анодного окисления и методом комбинированного плазмохимического травления с учетом напряжения формирования оксидного маскирующего слоя и времени травления. В данной работе для обработки приповерхностных структур на основе арсенида галлия использовалась комбинация методов локального анодного окисления и плазмохимического травления. Локальное анодное окисление проводилось посредством сканирующей зондовой микроскопии с применением кремниевого зонда. Плазмохимическая обработка осуществлялась в разряде комбинированной плазме с использованием двух типов разряда емкостного и индуктивно-связанного. Данная технология позволяет объединить достоинства двух типов разрядов. Высокая концентрация электронов и ионов обеспечивают высокую скорость травления, а емкостной разряд позволяет направлять полученные ионы по полю и направлять их перпендикулярно к обр...