Водопоглощение диэлектрика
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
углубление на поверхности полированного шлифа, возникающее при травлении, иногда в месте выхода на поверхность дислокаций.
Исследованы возможности выделения фрагментов контуров ямок травления дислокации на цифровом изображении пластины полупроводника на примере арсенида галлия. Разработаны метод фильтрации бинаризованных фрагментов ямок травления, метод удаления контуров микродефектов, а также критерии для выделения основных значимых фрагментов контуров. Приводится пошаговое описание методов.
Изучены морфология и микрорельеф поверхности алмазов из первого уральского коренного месторождения «Ефимовское». Наряду с признаками значительного растворения выявлены специфические ямки травления и отрицательная дисковая скульптура, являющиеся типоморфным признаком алмазов из уральских месторождений. На основе анализа выявленных морфологических особенностей реконструированы основные события истории уральских алмазов образование плоскогранных форм в мантийных условиях, механические деформации и объемное растворение при подъеме мантийного диапира, травление флюидонасыщенным лампроитовым (?) расплавом в его вскипании в ходе извержения.
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
порошковый материал, изготовленный из порошкового волокна.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.