Закалка ступенчатая
охлаждение после нагрева производится в расплаве щелочей при температуре немного выше температуры начала образования мартенсита, но до начала распада аустенита, а затем в воде или на воздухе.
Фигуры травления
Предмет
Материаловедение
Разместил
🤓 sminina7rn
👍 Проверено Автор24
фигуры, образующиеся при травлении на поверхности кристалла в местах выхода дислокаций.
Научные статьи на тему «Фигуры травления»
Металлография
:
вырезка образца,
получение плоской поверхности,
шлифование,
полирование,
изучение поверхности,
травление...
В 1931 году Биттер, в 1934 году Акулов, независимо от Биттера, разработали методы порошковых фигур, которые
Статья от экспертов
Начальные стадии формирования отрицательных нитевидных кристаллов кремния
В статье описано формирование начальных стадий отрицательных нитевидных кристаллов в кремниевых подложках ориентаций (100) и (111). Показано, что процесс травления идет по кристалл жидкость пар механизму. Определены фигуры травления для различных типов катализаторов на подложках ориентаций (100) и (111). Обнаружен процесс миграции капли расплава металл кремний по поверхности пластины монокристаллического кремния
Creative Commons
Научный журнал
Mагнитный момент краевой дислокации в кристаллах азида серебра
В настоящей работе продолжено исследование свойств краевых дислокаций в нитевидных кристаллах азида серебра. Приведены аргументы, не противоречащие экспериментальным результатам, в пользу предположения наличия магнитного момента и электрического заряда линии краевой дислокации в азиде серебра. Показано, что магнитный момент в кристаллах азида серебра связан с ионами серебра, расположенными вдоль линии дислокации, которые могут быть нейтральными, т. е. иметь магнитный момент. Для выявления краевых дислокаций использованы методы «порошковых фигур» и селективного травления; для определения магнитного момента была разработана методика, основанная на прямом измерении величины индукции магнитного поля В о и результирующего поля В, возникающего в процессе намагничивания образцов.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
Зона равноосных кристаллов
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
- Травление
- Фигура
- Анодное травление
- Вакуумное травление
- Глубокое травление
- Травление, декапирование
- Травленое стекло
- Цветное травление
- Электрохимическое травление
- Ямка травления
- Катодное травление
- Очистка травлением
- Реактив для травления
- Трещины травления
- Химическое травление
- Электролитическое травление
- Геометрия фигуры
- Фигура Земли
- Синтаксические фигуры
- Отца фигура
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
