Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
стеклянная ткань шириной от 100 до 300 мм без кромки.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
химическоe соединениe элемента с кислородом.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне