Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
увеличение поперечных размеров соединяемых деталей в месте сварного стыка, вызванное пластической деформацией металла.
ордерной архитектуре, они применяются для образно-художественной выразительности сооружения, а также для усиления...
сомнений включает три яруса, которые формируются при помощи таких архитектурных элементов как:
плинтус на стыке...
пола и стены;
молдинг на высоте, примерно сопоставимой с высотой спинки стула;
карниз в месте стыка...
тщательного выполнения работ по отделке невозможно добиться идеально ровных сопряжений элементов в углах и на стыках
Приведена методика расчета усиления платформенных стыков панелей и плит перекрытия крупнопанельныхзданий, основанная на теории силового сопротивления анизотропных материалов сжатию. Она использована на реальном объекте:18-этажный крупнопанельный жилой дом по ул. Габишева в г. Казани, что позволило обеспечить конструктивную безопасность и эксплуатационную пригодность здания.Methodology for calculation of strengthening of platform joints of panels and floor slabs of large-panel buildings based on the theory of force resistance of anisotropic materials to compression is presented. It was used at the real object the 18-storey large-panel residential house in Gabisheva Street in the city of Kazan, its use made it possible to ensure the structural safety and serviceability of the building.
Стык (анадиплосис) и параллелизм
Повтор – один из способов подчеркнуть значение важного образа или мысли...
Определение 2
Анадиплосис (стык) – это фигура речи, представляющая собой повторение последнего слова...
Отдельные фрагменты речи с помощью стыка соединяются в единый образ....
Стык используется и в тех случаях, когда необходимо акцентировать внимание читателя на определенном важном...
Параллелизм используется для усиления экспрессивности, поэтому часто применяется в разговорной речи.
В статье рассмотрены различные варианты усиления надколонного стыка безбалочного перекрытия. Выполнено моделирование усиленных стыков в среде SCAD, проведен анализ и сравнение данных численного расчета с целью выбора наиболее рационального варианта усиления.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне