Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
Рассматривается спектр внутреннего трения в меди с ультрамелким зерном. Образцы приготовлены методом интенсивной пластической деформации и прокатки.
Рассмотрены особенности динамической рекристаллизации специальных сталей в процессе многопроходной горячей деформации. Показано, что за счет выхода пакетов скольжения на границы зерен, увеличения скорости их образования происходит локальное формирование ультрамелких рекристаллизованных зерен с высокоугловой разориентировкой границ.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
полимер, полученный из двух или более видов мономера.