Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
процесс увеличения размеров зерна (как правило, при изменении температурно-временных условий термообработки).
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.