Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
часть зоны термического влияния с максимальной температурой нагрева между точками солидуса и ликвидуса.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне