Внеосевая цифровая голограмма
цифровая голограмма, полученная во внеосевой схеме.
отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме.
цифровая голограмма, полученная во внеосевой схеме.
интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».