Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на полупроводниковом излучателе.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
семиэлектродная электронно-управляемая лампа, имеющая анод, катод, управляющий электрод и четыре дополнительных электрода.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».