Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси.
В работе рассматривается вопрос расчета первичной оптики при проектировании полупроводниковых излучателей. В рамках построения модели оптической системы эффективного светодиода предлагается метод определения формы поверхности полимерной линзы, обеспечивающей формирование заданной диаграммы направленности излучения.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
область проводимости между двумя электродами газоразрядного прибора.