отношение концентрации неосновных носителей заряда, созданных возбужденной примесью, и собственных носителей заряда полупроводника.
Допустим, что кристаллическая решетка металла или полупроводника образована в результате сближения атомов...
Следовательно, немного свободных электронов в полупроводниках....
Роль электронов в такой модели сводится к компенсации заряд ионов....
Пример 1
Задание: Опишите зонные структуры металлов, диэлектриков и полупроводников....
Металлы, диэлектрики и полупроводники различаются степенью заполнения валентной зоны электронами и шириной
В данной работе изучается изменение степени компенсации поверхностных состояний Nss на границе раздела структуры nITO-pCdTe и сопротивления приповерхностного слоя полупроводника pCdTe. Установлена, что структуры на основе крупноблочных поликристаллических пленок теллурида кадмия металл-окисьдиэлектрик.Структуры In-nITOpCdTe очень чувствительны к внешним воздействиям и точечная компенсация примесей в межзеренных границах поликристаллического pCdTе сопровождается резким увеличением времени жизни неравновесных носителей тока.
процесс, происходящий при нагреве деформированного металла до температуры 0,3Тпл, при котором уменьшается плотность дефектов и происходит их перераспределение внутри зёрен, что приводит к некоторому снижению внутренней энергии и небольшому (на 10–15 %) уменьшению твёрдости и прочности.
отношение относительного изменения начальной магнитной проницаемости к логарифму отношения интервалов времени, через которые измерялась начальная магнитная проницаемость при определенных климатических условиях.
химическоe соединениe элемента с кислородом.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
