Дифракционный максимум
максимум интенсивности рассеянных рентгеновских луче.
отношение концентрации неосновных носителей заряда, созданных возбужденной примесью, и собственных носителей заряда полупроводника.
Допустим, что кристаллическая решетка металла или полупроводника образована в результате сближения атомов...
Следовательно, немного свободных электронов в полупроводниках....
Роль электронов в такой модели сводится к компенсации заряд ионов....
Пример 1
Задание: Опишите зонные структуры металлов, диэлектриков и полупроводников....
Металлы, диэлектрики и полупроводники различаются степенью заполнения валентной зоны электронами и шириной
В данной работе изучается изменение степени компенсации поверхностных состояний Nss на границе раздела структуры nITO-pCdTe и сопротивления приповерхностного слоя полупроводника pCdTe. Установлена, что структуры на основе крупноблочных поликристаллических пленок теллурида кадмия металл-окисьдиэлектрик.Структуры In-nITOpCdTe очень чувствительны к внешним воздействиям и точечная компенсация примесей в межзеренных границах поликристаллического pCdTе сопровождается резким увеличением времени жизни неравновесных носителей тока.
максимум интенсивности рассеянных рентгеновских луче.
область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле.
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне