материал, изменяющий свои физико-химические свойства под воздействием определенного излучения и предназначенный для формирования рельефного изображения в процессе литографии.
применение метода тиснения происходит механическое вдавливание жесткого штампа в полимерную пленку резиста
Показана возможность использования тонких пленок аморфного оксида ванадия в качестве резиста для электронно-лучевой нанолитографии. Разработаны научно-технические основы процессов нанесения резиста, экспонирования и проявления, в том числе при помощи плазмохимического травления. Установлены основные параметры оксидно-ванадиевого резиста, в частности, высокая чувствительность (~ 10 -100 мкКл/см2) и высокое разрешение (
Предложен прием повышения чувствительности полиметилметакрилата как резиста субмикронной литографии к электронному лучу и рентгеновскому излучению синхротронного источника путем реакции передачи цепи на дисиланы различного химического строения при синтезе полимера.
процесс, происходящий при нагреве деформированного металла до температуры 0,3Тпл, при котором уменьшается плотность дефектов и происходит их перераспределение внутри зёрен, что приводит к некоторому снижению внутренней энергии и небольшому (на 10–15 %) уменьшению твёрдости и прочности.
контраст на изображении, возникающий вследствие дифракции излучения.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
