Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
линза, полученная при сочетании рефракционной линзы и дифракционной линзы, или обычная рефракционная линза, на поверхности которой была создана дифракционная структура.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
объект, вносящий фазовую модуляцию в волновой фронт.