Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
расстояние от вершины микролинзы до центра кривизны поверхности линзы.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
прибор для измерения освещенности.
регистрирующий прибор для измерения зависимости диаметра зрачка от времени.