переход электрона в полупроводнике из валентной зоны в зону проводимости с сохранением волнового вектора.
сопротивления (обычно, это оксидные полупроводники)....
Термисторы прямого подогрева. Сопротивление таких термисторов изменяется за счет джоулева тепла....
Фотосопротивления
Как нам известно, электроны в полупроводниках могут переходить в зону проводимости...
Существуют полупроводники энергия перехода электронов, у которых составляет десятые доли электрон --...
так как сильное поле изменяет энергосостояние электронов в атомах (уменьшается энергия, требуемая для перехода
The compound Cu(In0.6Ga0.4)3Se5 prepared by fusion in sealed tube is a wide band gap semiconductor; it crystallizes in the P-chalcopyrite structure with a direct transition of 1.42 eV. Its transport properties exhibit a semi-conducting behavior, which seem to be not intrinsic but rather attributed to selenium vacancies, and the conductivity is well described by small-polaron hopping: = 0exp{-29/kT}(cm)-1 with an effective mass of ~ 2 m0. The thermo-power is negative and changes little with temperature, suggesting that the conduction mechanism is mostly due to electron hopping. The analyzed material shows a chemical stability over a broad pH range; the semilogarithmic plot in KOH solution displays an exchange current density of 27 μAcm-2 and a corrosion potential of -0.204 VSCE. The capacitance measurement (C-2–V) exhibits a linear behavior, characteristic of n type conductivity, from which a flat band potential of -0.530 VSCE and an electron density of 3.49 1020 cm-3 are det...
Гетеропереход может быть изотипным, если образовался в результате контакта полупроводников с разными...
Когда у полупроводников разные типы легирования, гетеропереход называется анизотипным
Принцип работы...
лазере во взаимодействии принимает участие полупроводниковый материал, который находится вблизи p-n перехода...
, находящегося под воздействием внешнего напряжения прямого смещения....
с разными величинами запрещенной зоны, появляется необходимость подбора полупроводников с близкими к
В работе представлена идея управления прямыми и непрямыми переходами в полупроводниках, облучаемых внешним когерентным источником света. Мы предлагаем использовать активированную гетероструктурную геометрию материала, в котором заданное распределение донорно-акцепторных пар позволит контролировать плотность электрон-дырочных состояний. Обсуждается применение этого метода для лазерного охлаждения полупроводников.I
процесс, происходящий при нагреве деформированного металла до температуры 0,3Тпл, при котором уменьшается плотность дефектов и происходит их перераспределение внутри зёрен, что приводит к некоторому снижению внутренней энергии и небольшому (на 10–15 %) уменьшению твёрдости и прочности.
полимеризация, при которой мономер (газ, жидкость или твердое вещество) находится в однородной фазе без растворителя или дисперсионной среды.
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.
