Временные напряжения
напряжения, проявляющиеся в изделии в процессе сварочного нагрева и последующего охлаждения.
Прямой переход в полупроводнике
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
переход электрона в полупроводнике из валентной зоны в зону проводимости с сохранением волнового вектора.
Научные статьи на тему «Прямой переход в полупроводнике»
Применение полупроводников
сопротивления (обычно, это оксидные полупроводники)....
Термисторы прямого подогрева. Сопротивление таких термисторов изменяется за счет джоулева тепла....
Фотосопротивления
Как нам известно, электроны в полупроводниках могут переходить в зону проводимости...
Существуют полупроводники энергия перехода электронов, у которых составляет десятые доли электрон --...
так как сильное поле изменяет энергосостояние электронов в атомах (уменьшается энергия, требуемая для перехода
Статья от экспертов
Photoelectrochemical Characterization of Chalcopyrite Cu(In0.6Ga0.4)3Se5
The compound Cu(In0.6Ga0.4)3Se5 prepared by fusion in sealed tube is a wide band gap semiconductor; it crystallizes in the P-chalcopyrite structure with a direct transition of 1.42 eV. Its transport properties exhibit a semi-conducting behavior, which seem to be not intrinsic but rather attributed to selenium vacancies, and the conductivity is well described by small-polaron hopping: = 0exp{-29/kT}(cm)-1 with an effective mass of ~ 2 m0. The thermo-power is negative and changes little with temperature, suggesting that the conduction mechanism is mostly due to electron hopping. The analyzed material shows a chemical stability over a broad pH range; the semilogarithmic plot in KOH solution displays an exchange current density of 27 μAcm-2 and a corrosion potential of -0.204 VSCE. The capacitance measurement (C-2–V) exhibits a linear behavior, characteristic of n type conductivity, from which a flat band potential of -0.530 VSCE and an electron density of 3.49 1020 cm-3 are det...
Creative Commons
Научный журнал
Лазеры на гетеропереходах
Гетеропереход может быть изотипным, если образовался в результате контакта полупроводников с разными...
Когда у полупроводников разные типы легирования, гетеропереход называется анизотипным
Принцип работы...
лазере во взаимодействии принимает участие полупроводниковый материал, который находится вблизи p-n перехода...
, находящегося под воздействием внешнего напряжения прямого смещения....
с разными величинами запрещенной зоны, появляется необходимость подбора полупроводников с близкими к
Статья от экспертов
Донорно-акцепторные пары для оптического охлаждения полупроводников
В работе представлена идея управления прямыми и непрямыми переходами в полупроводниках, облучаемых внешним когерентным источником света. Мы предлагаем использовать активированную гетероструктурную геометрию материала, в котором заданное распределение донорно-акцепторных пар позволит контролировать плотность электрон-дырочных состояний. Обсуждается применение этого метода для лазерного охлаждения полупроводников.I
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Окалинообразованиe
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
Сополимер
полимер, полученный из двух или более видов мономера.
- Полупроводники
- Полупроводник
- Прямое направление для p-n перехода
- Прямое направление включения р-п-перехода
- Акцепторный полупроводник
- Вырожденный полупроводник
- Донорный полупроводник
- Дырочный полупроводник
- Магнитный полупроводник
- Невырожденный полупроводник
- Примесный полупроводник
- Простой полупроводник
- Скомпенсированный полупроводник
- Сложный полупроводник
- Собственный полупроводник
- Электронный полупроводник
- Полупроводники (Semiconductors)
- Полупроводник n-типа, электронный полупроводник
- Аллостерический переход
- Демографический переход
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
