Запрещенная энергетическая зона
область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле.
полупроводник, основной состав которого образован атомами одного химического элемента.
При температурах около абсолютного нуля полупроводники являются диэлектриками....
С точки зрения представления о механизме тока в металлах, это совпадение объясняется не просто случайностью...
Механизм электропроводности полупроводников
Особый интерес представляют электронные полупроводники....
В таких полупроводниках носителями тока являются, как и в металлах, электроны....
Механизм электропроводности полупроводников описывает зонная теория.
Нобелевские премии дают не часто только, если всех коллег лауреата, что называется, «проняло» от весомости свершенного. В 2000 году за открытие гетероструктур и их внедрение ее вручили продолжателю работ А.Ф. Иоффе директору физико-технического института академику РАН Ж.И. Алферову. Таким образом, во всем мире были признаны наши отечественные гетероструктурные полупроводники, эффективность функционирования которых доходит до 40и в два раза выше, чем у простых кремниевых образцов. «Пророка нет в отечестве своем», спел когда-то Владимир Семенович...
Полупроводники делятся на:
простые, состав которых образован атомами одного химического элемента;
сложные...
полупроводником....
У примесного полупроводника электропроводность определяется составом примесей в нем....
В дырочных полупроводниках электропроводность зависит от примесей и перемещения в пространстве дырок...
Проводимость электронного полупроводника, как правило, обусловлена электронами проводимости.
В настоящее время идет активная разработка планарных диодов Ганна, которые можно было бы использовать в качестве элементов монолитных интегральных схем. Последнее особенно важно при работе в КВЧ диапазоне частот, где гибридные технологии использовать затруднительно. Конструктивно диод Ганна представляет собой просто однородный полупроводник с нанесенными на него омическими контактами. Принцип действия диодов Ганна, в отличие от большинства полупроводниковых приборов, основан не на свойствах различных переходов, а на объемных свойствах однородного полупроводника [1]. Образец GaAs проводимости n-типа наиболее широко изучаемый полупроводниковый материал для ганновских устройств. Прежде чем ввести в основы теории эффект междолинного переноса электронов, будет дан краткий обзор фундаментальных свойств арсенидгаллиевых материалов (особенно n-типа).
область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле.
сложнолегированные никелевые кислотостойкие сплавы, содержат 18-22% Сr, 6% Mo, 6% Fe, 6% Сu, 3% W, 2% Al, 0,02% Ti.
дешевый ювелирный и декоративный сплав, содержащий 5% Ag, 5% Сu, Al - ост..
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве