Волюмоспирограф
регистрирующий прибор для измерения зависимости объема вдыхаемого или выдыхаемого воздуха от времени.
план выборочного контроля, характеризующийся тем, что решение относительно приемки партии продукции принимают по результатам проверки нескольких выборок, максимальное число которых заранее не установлено причем необходимость отбора последующей выборки зависит от результатов контроля предыдущих выборок.
Поэтому производители предпочитают проводить выборочный контроль качества продукции....
Суть выборочного контроля качества состоит в том, что из партии произведенной продукции отбирается лишь...
Обязательным условием выборочного контроля качества продукции является обеспечение репрезентативности...
Характеристика одноступенчатого плана контроля качества
Основным инструментом выборочного контроля качества...
;
двухступенчатые планы;
многоступенчатые планы;
последовательные планы.
Рассматривается идентификация двоичных последовательностей, необходимая для формирования общего криптографического ключа в перспективных информационных технологиях, с целью отбора последовательностей, содержащих минимально допустимое количество несовпадений при приемлемом уровне оглашаемой информации. Предлагается для решения этой задачи использовать одноступенчатый план выборочного контроля качества по альтернативному признаку.
План выборочного контроля качества продукции
Основным инструментом выборочного контроля качества продукции...
, последовательными....
Последовательный план контроля предполагает, что после каждого взятия выборки принимают решение о принятии...
Именно последовательный план выборочного контроля качества продукции считается самым экономичным....
Оперативная характеристика планов выборочного контроля
Свойства планов и схем выборочного контроля качества
регистрирующий прибор для измерения зависимости объема вдыхаемого или выдыхаемого воздуха от времени.
необратимая тонкослойная регистрирующая среда, содержащая светочувствительные наночастицы галогенидов серебра в желатиновой матрице.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.